02.05.2023
Зеленоградский НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) приступил к разработке литографических материалов, применяемых в электронной промышленности. «Производство этих материалов станет важным шагом на пути достижения технологического суверенитета нашей страны», комментирует генеральный директор ОЭЗ «Технополис Москва» Геннадий Дёгтев.
НИИМЭ – резидент особой экономической зоны «Технополис Москва». Фоторезисты будут востребованы при выпуске интегральных микросхем, их используют в различной современной технике. Потребителями продукции станут российские производители микроэлектроники.
Фоторезист – это светочувствительный полимерный материал, который наносят на кремниевую пластину в ходе процесса фотолитографии. С его помощью на поверхности обрабатываемой детали формируются выделенные участки – «окна» – для дальнейшего травления или легирования поверхности. НИИМЭ проведет теоретические и экспериментальные работы, разработает документацию технологического процесса, методики измерений параметров материалов и метрологической экспертизы, сообщили в пресс-службе технополиса.
В НИИМЭ накоплен большой опыт исследований в области высокочистых материалов, отметил замруководителя приоритетного технологического направления «Электронные технологии» компании, член-корреспондент РАН Евгений Горнев. В консорциуме с институтами Российской академии наук по программе импортозамещения институт занимается разработками и анализом высокочистых химических реактивов для отечественной промышленности. За последние пять лет были сформированы технологические цепочки исполнителей из научных организаций и организовано проведение работ по созданию задела для разработки материалов для фотолитографии, а в 2021 году создана единственная в России физико-химическая аналитическая лаборатория мирового уровня для проведения исследований в области контроля качества технологических сред. Сегодня лаборатория участвует во всех опытно-конструкторских работах по созданию химреактивов требуемого качества и методик анализа соответствия качества высокочистых материалов.